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“深圳浩畅现货热销手机充电宝专用贴片MOS管 SI2301”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | 环保认证 |
| 品牌： | HC/浩畅 | 类型： | 增强型MOS管(P沟道) |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 |
| 用途： | L/功率放大 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | SI2301 | 规格： | SOT-23 |
| 商标： | HC/浩畅 | 包装： | 盘装 |
| 产量： | 90000000 |
“深圳浩畅现货热销手机充电宝专用贴片MOS管 SI2301”详细介绍
深圳贴片MOS场效应管专业生产批发厂商现货特价批发原装HC/浩畅低压MOS场效应管 SI2301,产品主要技术参数如下所示：
MOSFET/场效应管 SI2301
产品型号：SI2301
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:-20V
漏极电流（ID）:-3A
栅源电压（VGS）: ±12V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.0W
栅源极开启电压VGS(th):-0.4 ~ -1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
什么是MOS管：
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
MOSFET/场效应管 SI2301
产品型号：SI2301
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:-20V
漏极电流（ID）:-3A
栅源电压（VGS）: ±12V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.0W
栅源极开启电压VGS(th):-0.4 ~ -1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
什么是MOS管：
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
