MOS管FA57SA50LC现货规格参数及应用

  在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。

  Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。

  晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

  威世FA57SA50LC是第三代国际整流器设计与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低电阻和成本效益。采用SOT - 227封装普遍首选的商业工业应用的功耗水平在约500瓦。低的SOT - 227热电阻有助于其在整个行业广泛接受。

FA57SA50LC特点：

完全隔离的封装

易于使用和并行

低电阻

额定动dv/dt

完全雪崩额定

简单的驱动要求

低门电荷装置

内部低电感

FA57SA50LC主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。

全新现货MOSFET晶体管FA57SA50LC技术参数资料

通道类型 N

最大连续漏极电流 5.7 A

最大漏源电压 500 V

最大漏源电阻值 0.08 Ω

最大栅源电压 ±20 V

封装类型 SOT-227

安装类型 螺丝

引脚数目 4

通道模式 增强

类别 功率 MOSFET

最大功率耗散 625 W

宽度 25.7mm

典型接通延迟时间 152 ns

尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm

每片芯片元件数目 1

长度 38.3mm

高度 12.3mm

最低工作温度 -55 °C

典型栅极电荷@Vgs 225 nC @ 400 V

典型关断延迟时间 108 ns

典型输入电容值@Vds 10000 pF @ 25 V

主要参数：

1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

  其发热情况有：

  1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。

  2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

  3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

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