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供应台湾德信EUP3269WIR1内置MOS高效率DC-DC快充芯片

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有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-11-13 22:41
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“供应台湾德信EUP3269WIR1内置MOS高效率DC-DC快充芯片”参数说明

是否有现货: 认证: Rosh
应用领域: 标准通用 集成度高低: 中规模集成电路
封装: SMD 功能结构: 模拟集成电路
制作工艺: 半导体集成电路 导电类型: 单极型
外形: 扁平型 型号: Eup3269wir1
规格: Sop-8 商标: Eutech
包装: 2.5k/reel 产量: 10000000

“供应台湾德信EUP3269WIR1内置MOS高效率DC-DC快充芯片”详细介绍

  EUP3269-全集成、33V、93%效率、100%duty、精确限流、带线损同步buck(QC3.0)、L0e EMI

产品特点特性介绍:

◆  效率:93%

◆  输入电压:8~30V

◆  输出电压:5V/9V/12/20V

◆  输出电流:3A

◆  12V输入vs12V输出(占空比100%)

◆  线损补偿:0.25V

◆  纹波﹤100mV

◆  EMI余量:-6dB

◆  输出电压VS电流

◆  CV模式输出电流精度:4%

◆  输出过流保护CC/CV模式

◆  短路电流﹤100mA

◆  最大带载IC温升

◆  开机延迟时间

◆  频率:150KHz

◆  输出端口适合功能:

◆  QC3.0/BC1.2/Apple/Samsung 

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